微波等離子清洗機的機理，主要是依靠等離子體中活性粒子的“活化作用”達到去除物體表面污漬的目的。就反應機理來看，等離子體清洗通常包括以下過程：無機氣體被激發(fā)為等離子態(tài)；氣相物質被吸附在固體表面；被吸附基團與固體表面分子反應生成產物分子；產物分子解析形成氣相；反應殘余物脫離表面。微波等離子清洗機技術的zui大特點是不分處理對象的基材類型，均可進行處理，對金屬、半導體、氧化物和大多數高分子材料，如聚丙烯、聚脂、聚酰亞胺、聚氯乙烷、環(huán)氧、甚至聚四氟乙烯等都能很好地處理，并可實現整體和...

一．產品結構晶圓清洗機主要結構特點：1、采用三套獨立的電腦控制機械臂自動化作業(yè)2、采用第三代技術，全面完善的防酸防腐措施，保護到機器每一個角落3、全自動補液技術4、*的硅片干燥前處理技術，保證硅片干燥不留任何水痕5、成熟的硅片干燥工藝，多種先進技術集于一身6、彩色大屏幕人機界面操作，方便參數設置多工藝方式轉換二．產品特點晶圓清洗機具有以下特點：1、械手或多機械手組合，實現工位工藝要求。2、PLC全程序控制與觸摸屏操作界面，操作便利。3、自動上下料臺，準確上卸工件。4、凈化烘干...

微波等離子清洗機(plasmacleaner)也叫等離子清潔機，或者等離子表面處理儀，是一種全新的高科技技術，利用等離子體來達到常規(guī)清洗方法無法達到的效果。等離子體是物質的一種狀態(tài)，也叫做物質的第四態(tài)，并不屬于常見的固液氣三態(tài)。對氣體施加足夠的能量使之離化便成為等離子狀態(tài)。等離子體的“活性”組分包括：離子、電子、原子、活性基團、激發(fā)態(tài)的核素（亞穩(wěn)態(tài)）、光子等。等離子清潔機就是通過利用這些活性組分的性質來處理樣品表面，從而實現清潔、涂覆等目的。微波等離子清洗機在封裝工藝中的應用...

單片晶圓清洗機是一款帶有小占地面積的理想設備，并且很容易安裝在空間有限的超凈間中。該系列設備都具有出眾的清洗能力，并可用于非常廣泛的基片。單片晶圓清洗機提供了可控的化學試劑滴膠能力，這使得顆粒從基片表面的去除能力得以進一步加強。SWC和LSC具備對點試劑滴膠系統(tǒng)，可以zui大程度節(jié)省化學試劑的用量的。滴膠系統(tǒng)支持可編程的化學試劑混合能力，提供了可控的化學試劑在整個基片上的分布。單片晶圓清洗機特點：臺式系統(tǒng)無損兆聲掩模版或晶圓片清洗及旋轉甩干支持12”直徑的圓片或9”x9”方片...

反應離子刻蝕機是一款獨立式RIE反應離子刻蝕系統(tǒng)，配套有淋浴頭氣體分布裝置以及水冷RF樣品。具有不銹鋼柜子以及13"的上蓋式圓柱形鋁腔，便于晶圓片裝載.腔體有兩個端口：一個帶有2"的視窗,另一個空置用于診斷。反應離子刻蝕機可以支持zui大到12"的晶圓片。腔體為超凈設計，并且根據配套的真空泵可以達到10-6Torr或更小的極限真空。反應離子刻蝕機系統(tǒng)可以在20mTorr到8Torr之間的真空下工作。真空泵組包含一個節(jié)流閥，一個250l/s的渦輪分子泵，濾網過濾器，以及一個10...

帶RIE等離子刻蝕機是干法刻蝕中zui常見的一種形式，其原理是暴露在電子區(qū)域的氣體形成等離子體，由此產生的電離氣體和釋放高能電子組成的氣體，從而形成了等離子或離子，電離氣體原子通過電場加速時，會釋放足夠的力量與表面驅逐力緊緊粘合材料或蝕刻表面。某種程度來講，等離子清洗實質上是等離子體刻蝕的一種較輕微的情況。進行干式蝕刻工藝的設備包括反應室、電源、真空部分。工件送入被真空泵抽空的反應室。氣體被導入并與等離子體進行交換。等離子體在工件表面發(fā)生反應，反應的揮發(fā)性副產物被真空泵抽走。...

光學元件鍍膜機主要指一類需要在較高真空度下進行的鍍膜，具體包括很多種類，包括真空離子蒸發(fā)，磁控濺射，MBE分子束外延，PLD激光濺射沉積等很多種。主要思路是分成蒸發(fā)和濺射兩種。光學元件鍍膜機使用步驟電控柜操作1.開水泵、氣源。2.開總電源。3.開維持泵、真空計電源，真空計檔位置V1位置，等待其值小于10后，再進入下一步操作。約需5分鐘。4.開機械泵、予抽，開渦輪分子泵電源、啟動，真空計開關換到V2位置，抽到小于2為止，約需20分鐘。5.觀察渦輪分子泵讀數到達250以后，關予抽...

鍍膜機設備說明書和設備上儀表盤指針顯示及各旋鈕下的標注說明。①檢查真空鍍膜機各操作控制開關是否在"關"位置。②打開總電源開關，設備送電。③低壓閥拉出。開充氣閥，聽不到氣流聲后，啟動升鐘罩閥，鐘罩升起。④安裝固定鎢螺旋加熱子。把PVDF薄膜和鋁蓋板固定在轉動圓盤上。把鋁絲穿放在螺旋加熱子內。清理鐘罩內各部位，保證無任何雜質污物。⑤落下鐘罩。⑥啟動抽真空機械泵。⑦開復合真空計電源（復合真空計型號：Fzh-1A)。a.左旋鈕“1”順時針旋轉至指向2區(qū)段的加熱位置。b.低真空表“2”...